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STW20N95K5
2.474
STW20N95K5 数据手册 (22 页)
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STW20N95K5 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.275 Ω
极性
N-Channel
功耗
250 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
950 V
连续漏极电流(Ids)
17.5A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
1500pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
250 W
下降时间
20 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
250W (Tc)

STW20N95K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
高度
20.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STW20N95K5 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
22 页 / 1.13 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.18 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 1.42 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
32 页 / 0.51 MByte

STW20N95 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 950 V, 0.275 ohm, 10 V, 4 V
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