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STY145N65M5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STY145N65M5 数据手册 (13 页)

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STY145N65M5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.012 Ω

功耗

625 W

阈值电压

4 V

输入电容

18500 pF

漏源极电压(Vds)

650 V

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

18500pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

625 W

下降时间

82 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

625W (Tc)

STY145N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

长度

15.9 mm

宽度

5.3 mm

高度

20.3 mm

工作温度

150℃ (TJ)

STY145N65M5 符合标准

STY145N65M5 海关信息

STY145N65M5 概述

STY145N65M5 数据手册

STY145N65M5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.28 MByte

STY145N65M5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.76 MByte

STY145N65M5 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STY145N65 数据手册

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