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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SUD50P04-08-GE3 Datasheet 文档
SUD50P04-08-GE3
12.703
SUD50P04-08-GE3 数据手册 (8 页)
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SUD50P04-08-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
功耗
2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
漏源极电压(Vds)
40 V
输入电容值(Ciss)
5380pF @20V(Vds)
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 73.5W (Tc)

SUD50P04-08-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SUD50P04-08-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.16 MByte
Vishay Siliconix
8 页 / 0.14 MByte

SUD50P0408 数据手册

VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.012 ohm, -10 V, -1 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SUD50P04-08  晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.012 ohm, -10 V, -1 V
VISHAY(威世)
P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SUD50P04-08-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 6.7 mohm, -10 V, -1 V
Vishay Intertechnology
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