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Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > SUD50P10-43L-E3 Datasheet 文档
SUD50P10-43L-E3
0.679
SUD50P10-43L-E3 数据手册 (9 页)
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SUD50P10-43L-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.036 Ω
极性
P-Channel
功耗
136 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
9.2A
上升时间
160 ns
输入电容值(Ciss)
4600pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
136 W
下降时间
100 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-50 ℃
耗散功率(Max)
8300 mW

SUD50P10-43L-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量
2000

SUD50P10-43L-E3 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.15 MByte
VISHAY(威世)
7 页 / 0.6 MByte

SUD50P1043 数据手册

VISHAY(威世)
P沟道100 -V ( D- S) 175℃ MOSFET P-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SUD50P10-43L-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -38 A, -100 V, 0.036 ohm, -10 V, -3 V
VISHAY(威世)
P沟道 100V 37.1A
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY(威世)
P沟道100 -V ( D- S) 175℃ MOSFET P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
P沟道100 -V ( D- S) 175℃ MOSFET P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET
Vishay Intertechnology
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