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Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > SUD50P04-09L-E3 Datasheet 文档
SUD50P04-09L-E3
1.143
SUD50P04-09L-E3 数据手册 (7 页)
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SUD50P04-09L-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0075 Ω
极性
P-Channel
功耗
3 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
50A
上升时间
60 ns
输入电容值(Ciss)
4800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3 W
下降时间
140 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3000 mW

SUD50P04-09L-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量
2000

SUD50P04-09L-E3 数据手册

VISHAY(威世)
7 页 / 0.15 MByte
VISHAY(威世)
8 页 / 0.14 MByte
VISHAY(威世)
2 页 / 0.28 MByte

SUD50P0409 数据手册

VISHAY(威世)
P沟道40 V (D -S ) , 175 ℃的MOSFET P-Channel 40 V (D-S), 175 °C MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SUD50P04-09L-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, -50A, TO-252-3
Vishay Intertechnology
VISHAY(威世)
P通道40 - V(D -S), 175℃下的MOSFET P-Channel 40-V (D-S), 175C MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
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