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TIP142G
0.872
TIP142G 数据手册 (8 页)
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TIP142G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
10.0 A
封装
TO-247-3
输出电压
100 V
输出电流
10 A
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
125 W
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
热阻
35.7℃/W (RθJA)
集电极最大允许电流
10A
最小电流放大倍数
1000 @5A, 4V
额定功率(Max)
125 W
直流电流增益(hFE)
500
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
125000 mW
输入电压
5 V

TIP142G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.26 mm
宽度
4.9 mm
高度
5.3 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

TIP142G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.45 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.16 MByte

TIP142 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
NPN 复合晶体管,STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
Multicomp
MULTICOMP  TIP142  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE
ON Semiconductor(安森美)
达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Central Semiconductor
Motorola(摩托罗拉)
NTE Electronics
Fairchild(飞兆/仙童)
整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
TI(德州仪器)
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS
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