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TLP291(E(O
0.091
TLP291(E(O 数据手册 (13 页)
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TLP291(E(O 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SO-4
正向电压
1.4 V
功耗
0.2 W
上升时间
4 µs
隔离电压
3750Vrms (min)
正向电流
50 mA
击穿电压
5 V
正向电压(Max)
1.4 V
正向电流(Max)
50 mA
下降时间
7 µs
工作温度(Max)
110 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

TLP291(E(O 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube, Rail

TLP291(E(O 数据手册

Toshiba(东芝)
13 页 / 0.32 MByte

TLP291 数据手册

Toshiba(东芝)
Photocoupler 80V 50mA 3750Vrms
Toshiba(东芝)
晶体管输出光电耦合器 50mA 80V Gen Purp 50mA 1 Circuit
Toshiba(东芝)
TLP291-4(GB-TP,E(T
Toshiba(东芝)
光耦合器/光电耦合器
Toshiba(东芝)
光耦合器/光电耦合器
Toshiba(东芝)
光电耦合器, Transistor Output, 1通道, SOIC, 4 引脚, 50 mA, 3.75 kV, 50 %
Toshiba(东芝)
晶体管输出光耦 TLP291-4(TP,E) SOP-16-4.6mm
Toshiba(东芝)
晶体管输出光耦 TLP291(GR-TP,SE SOP-4-1.27mm
Toshiba(东芝)
光耦合器,晶体管输出,Toshiba### 光耦合器,Toshiba
Toshiba(东芝)
TLP291(GR-TP,SE(T 编带
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