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TLV272QDRG4Q1
器件3D模型
0.974
TLV272QDRG4Q1 数据手册 (28 页)
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TLV272QDRG4Q1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
供电电流
750 µA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
功耗
0.396 W
共模抑制比
58 dB
输入补偿漂移
2.00 µV/K
带宽
3.00 MHz
转换速率
2.10 V/μs
增益频宽积
3 MHz
输入补偿电压
500 µV
输入偏置电流
1 pA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
增益带宽
3 MHz
耗散功率(Max)
396 mW
共模抑制比(Min)
58 dB

TLV272QDRG4Q1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

TLV272QDRG4Q1 数据手册

TI(德州仪器)
28 页 / 1.12 MByte
TI(德州仪器)
2 页 / 0.05 MByte

TLV272QDRG4 数据手册

TI(德州仪器)
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