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Datasheet 搜索 > 运算放大器 > TI(德州仪器) > TLV272QDRQ1 Datasheet 文档
TLV272QDRQ1
器件3D模型
0.694
TLV272QDRQ1 数据手册 (28 页)
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TLV272QDRQ1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
输出电流
8mA @5V
供电电流
750 µA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
功耗
396 mW
输入补偿漂移
2.00 µV/K
带宽
3 MHz
转换速率
2.10 V/μs
增益频宽积
3 MHz
输入补偿电压
500 µV
输入偏置电流
1 pA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
增益带宽
3 MHz
耗散功率(Max)
396 mW
共模抑制比(Min)
58 dB

TLV272QDRQ1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃

TLV272QDRQ1 数据手册

TI(德州仪器)
28 页 / 1.12 MByte
TI(德州仪器)
2 页 / 0.05 MByte
TI(德州仪器)
1 页 / 0.12 MByte

TLV272 数据手册

TI(德州仪器)
550uA/通道 3MHz 轨至轨输出运算放大器
TI(德州仪器)
BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLV272CDGKR  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 2.6 V/µs, 2.7V 至 16V, VSSOP, 8 引脚
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLV272IDGKR  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 2.4 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, VSSOP, 8 引脚
TI(德州仪器)
低电压 BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLV272CDR  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 2.4 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
LinCMOS 运算放大器,TLV 系列### 运算放大器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  TLV272ID  运算放大器, 双路, 3 MHz, 2个放大器, 2.4 V/µs, ± 1.35V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
5脚封装,低功耗,中速
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