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器件3D模型
¥ 2.017
TPS2812P 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
PDIP-8
描述:
TEXAS INSTRUMENTS TPS2812P 双路芯片, MOSFET, 高压侧, 4V-14V电源, 2A输出, 25ns延迟, DIP-8
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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TPS2812P 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
8 Pin
电源电压
4.00V (min)
封装
PDIP-8
上升/下降时间
14ns, 15ns
输出接口数
2 Output
输出电压
15.5 V
输出电流
2.00 A
供电电流
5.00 mA
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
功耗
1.09 W
上升时间
35 ns
下降时间
35 ns
下降时间(Max)
35 ns
上升时间(Max)
35 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1090 mW
电源电压
4V ~ 14V
电源电压(Max)
14 V
电源电压(Min)
4 V
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TPS2812P 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
9.81 mm
宽度
6.35 mm
高度
4.57 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃
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TPS2812P 符合标准
TPS2812P 海关信息
TPS2812P 概述
●
MOSFET 和 IGBT 驱动器,高达 2.5A,Texas Instruments
●
Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。
●
### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments
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PWR
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双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERS
TPS2812
P
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TEXAS INSTRUMENTS TPS2812P 双路芯片, MOSFET, 高压侧, 4V-14V电源, 2A输出, 25ns延迟, DIP-8
TPS2812
D
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TEXAS INSTRUMENTS TPS2812D 双路驱动器, MOSFET, 高压侧, 4V-14V电源, 2A输出, 25ns延迟, SOIC-8
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