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IRF9310PBF
器件3D模型
0.84
IRF9310PBF 数据手册 (8 页)
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IRF9310PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2.5 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
3.9 mΩ
极性
P-CH
功耗
2.5 W
阈值电压
1.8 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
20A
上升时间
47 ns
输入电容值(Ciss)
5250pF @15V(Vds)
下降时间
70 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

IRF9310PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
4.98 mm
宽度
3.99 mm
高度
1.57 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRF9310PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.27 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.04 MByte

IRF9310 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9310TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 0.0039 ohm, -10 V, -1.8 V 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9310PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -30 V, 3.9 mohm, -10 V, -1.8 V
International Rectifier(国际整流器)
-30V,-20A,4.6mΩ,单P沟道功率MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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