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器件3D模型
¥ 1.601
TPS51116RGERG4 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
稳压芯片
封装:
VQFN-24
描述:
全套 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 电源解决方案同步降压控制器、3A LDO 24-VQFN -40 to 85
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
TPS51116RGERG4 数据手册 (45 页)
封装尺寸
在
35 页
37 页
38 页
原理图
在
10 页
11 页
24 页
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TPS51116RGERG4 数据手册
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TPS51116RGERG4 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
24 Pin
封装
VQFN-24
输出接口数
1 Output
输出电压
1.5V ~ 3V
输出电流
10 A
功耗
2200 mW
静态电流
800 µA
调节输出数
1 Output
过温保护
Yes
拓扑结构
Buck
输入电压(Max)
28 V
输入电压(Min)
3 V
输出电流(Max)
10 A
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
2200 mW
输入电压
3V ~ 28V
查看数据手册 >
TPS51116RGERG4 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 85℃
查看数据手册 >
TPS51116RGERG4 符合标准
TPS51116RGERG4 数据手册
TPS51116RGERG4
数据手册
TI(德州仪器)
45 页 / 1.33 MByte
TPS51116 数据手册
TPS51116
数据手册
TI(德州仪器)
DDR1、DDR2、DDR3 转换开关和 LDO
TPS51116
RGER
数据手册
TI(德州仪器)
DDR/DDR2/DDR3的同步降压控制器和LDO
TPS51116
RGET
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS TPS51116RGET 稳压器, 固定LDO, 3V至28V输入, 2.5V/25A输出, VQFN-24
TPS51116
PWPR
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS TPS51116PWPR 稳压器, 固定LDO, 3V至28V输入, 3A输出, HTSSOP-20 新
TPS51116
PWP
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS TPS51116PWP 芯片, 同步降压控制器
TPS51116
PWPRG4
数据手册
TI(德州仪器)
完整的DDR , DDR2和DDR3内存的电源解决方案同步降压控制器, 3 -A LDO ,缓冲基准 COMPLETE DDR, DDR2 AND DDR3 MEMORY POWER SOLUTION SYNCHRONOUS BUCK CONTROLLER, 3-A LDO, BUFFERED REFERENCE
TPS51116
RGERG4
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TI(德州仪器)
全套 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 电源解决方案同步降压控制器、3A LDO 24-VQFN -40 to 85
TPS51116
PWPG4
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS TPS51116PWPG4 稳压器, 固定LDO, 3V至28V输入, 2.5V/25A输出, HTSSOP-20
TPS51116
RGETG4
数据手册
TI(德州仪器)
完整的DDR , DDR2和DDR3内存的电源解决方案同步降压控制器, 3 -A LDO ,缓冲基准 COMPLETE DDR, DDR2 AND DDR3 MEMORY POWER SOLUTION SYNCHRONOUS BUCK CONTROLLER, 3-A LDO, BUFFERED REFERENCE
TPS51116
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