器件3D模型

￥ 0.16

ULN2003ADRE4 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOIC-16

描述:

高压大电流达林顿晶体管阵列 HIGH-VOLTAGE HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

ULN2003ADRE4 数据手册 (35 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在20 页 21 页 22 页 23 页 25 页 26 页 27 页

典型应用电路图在14 页

原理图在1 页 12 页

ULN2003ADRE4 数据手册 (35 页)

查看文档

或点击图片查看大图

ULN2003ADRE4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

16 Pin

封装

SOIC-16

输出接口数

7 Output

极性

NPN

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

驱动器/包

集电极最大允许电流

0.5A

输出电流(Max)

500 mA

直流电流增益(hFE)

1000

工作温度(Max)

70 ℃

工作温度(Min)

-20 ℃

查看数据手册 >

ULN2003ADRE4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

9.9 mm

宽度

3.91 mm

高度

1.58 mm

工作温度

-20℃ ~ 70℃ (TA)

查看数据手册 >

ULN2003ADRE4 符合标准

ULN2003ADRE4 海关信息

ULN2003ADRE4 数据手册

TI（德州仪器）

35 页 / 1.29 MByte

ULN2003ADRE4 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

4 页 / 0.39 MByte

ULN2003ADRE4 产品修订记录

TI（德州仪器）

6 页 / 0.41 MByte

ULN2003 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

七达林顿阵列 Seven Darlington array

ULN2003 数据手册

UTC（友顺）

达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington

ULN2003 数据手册

ETC1

ULN2003 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ULN-2003 数据手册

ETC2

ULN2003ADR 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS ULN2003ADR 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

ULN2003AN 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AN 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP

ULN2003A 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS ULN2003A 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

ULN2003D1013TR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS ULN2003D1013TR 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC

ULN2003ADR2G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2G. 达林顿晶体管阵列, NPN, X7, 50V, 16-SOIC

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号