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VN0106N3-G
0.38
VN0106N3-G 数据手册 (5 页)
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VN0106N3-G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-92-3
额定功率
1 W
通道数
1 Channel
漏源极电阻
3.00 Ω
极性
N-Channel
功耗
1.00 W
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
350 mA

VN0106N3-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
宽度
4.19 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

VN0106N3-G 数据手册

Supertex(超科)
5 页 / 0.61 MByte
Supertex(超科)
5 页 / 0.56 MByte

VN0106N3 数据手册

Supertex(超科)
Microchip(微芯)
晶体管, MOSFET, N沟道, 350 mA, 60 V, 2.5 ohm, 10 V, 2.4 V
Microchip(微芯)
Supertex(超科)
Microchip(微芯)
Microchip(微芯)
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