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IRFRC20TRRPBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFRC20TRRPBF 数据手册 (12 页)

封装尺寸在8 页 9 页 10 页

IRFRC20TRRPBF 数据手册 (12 页)

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IRFRC20TRRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

漏源极电阻

4.4 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

2.00 A

上升时间

23 ns

输入电容值(Ciss)

350pF @25V(Vds)

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

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IRFRC20TRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

最小包装数量

2000

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IRFRC20TRRPBF 符合标准

IRFRC20TRRPBF 数据手册

VISHAY（威世）

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