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ZVN4306AVSTOA 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

E-Line-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZVN4306AVSTOA 数据手册 (4 页)

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ZVN4306AVSTOA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

1.10 A

封装

E-Line-3

漏源极电阻

450 mΩ

极性

N-Channel

功耗

850mW (Ta)

输入电容

350 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

1.10 A

上升时间

25.0 ns

输入电容值(Ciss)

350pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

850mW (Ta)

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ZVN4306AVSTOA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape, Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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ZVN4306AVSTOA 符合标准

ZVN4306AVSTOA 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

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