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ZXM62P03E6TA
0.165
ZXM62P03E6TA 数据手册 (7 页)
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ZXM62P03E6TA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
-30.0 V
额定电流
-1.60 A
封装
SOT-23-6
漏源极电阻
230 mΩ
极性
P-Channel
功耗
0.806 W
漏源极电压(Vds)
30 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.50 A
上升时间
6.4 ns
输入电容值(Ciss)
330pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
625 mW
下降时间
10.3 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625mW (Ta)

ZXM62P03E6TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.1 mm
宽度
1.8 mm
高度
1.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXM62P03E6TA 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.28 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.54 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.28 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.14 MByte

ZXM62P03E6 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZXM62P03E6  晶体管, MOSFET, P沟道, 2.6 A, -30 V, 110 mohm, 10 V, -1 V
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, P沟道, 2.6 A, -30 V, 0.11 ohm, 10 V, -1 V
Diodes(美台)
P沟道 30V 1.5A
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
P 通道 MOSFET,12V 至 25V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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