器件3D模型

￥ 0.497

ZXMS6004DN8-13 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

负载控制器

封装:

SO-8

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.2 A, 60 V, 0.35 ohm, 5 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

ZXMS6004DN8-13 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

原理图在2 页

ZXMS6004DN8-13 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

ZXMS6004DN8-13 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

输出接口数

2 Output

输出电流

1.2 A

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.35 Ω

极性

N-CH

功耗

1.56 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

1.2A

输入电压(Min)

0 V

输出电流(Max)

1.3 A

输入数

2 Input

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

输入电压

5.5 V

查看数据手册 >

ZXMS6004DN8-13 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 125℃ (TA)

查看数据手册 >

ZXMS6004DN8-13 符合标准

ZXMS6004DN8-13 海关信息

ZXMS6004DN8-13 概述

ZXMS6004DN8-13 数据手册

Diodes（美台）

9 页 / 0.4 MByte

ZXMS6004DN8-13 其他数据使用手册

Diodes（美台）

293 页 / 0.91 MByte

ZXMS6004 数据手册

ZXMS6004FFTA 数据手册

Diodes（美台）

DIODES INC. ZXMS6004FFTA 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 350 mohm, 5 V, 1 V

ZXMS6004SGTA 数据手册

Diodes（美台）

ZXMS6004SGTA 编带

ZXMS6004FFQTA 数据手册

Diodes（美台）

N-沟道 60 V 500 mΩ 自保护增强型 Mosfet - SOT-23F

ZXMS6004DGTA 数据手册

Diodes（美台）

功率电子开关 ZXMS6004DGTA SOT-223-3

ZXMS6004DN8-13 数据手册

Diodes（美台）

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.2 A, 60 V, 0.35 ohm, 5 V, 1 V

ZXMS6004DT8TA 数据手册

Diodes（美台）

功率电子开关 ZXMS6004DT8TA SOT-223-8

ZXMS6004N8-13 数据手册

Diodes（美台）

功率电子开关 ZXMS6004N8-13 SO-8

ZXMS6004DGTA 数据手册

Diodes Zetex（捷特科）

MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

ZXMS6004FFTA 数据手册

Zetex

ZXMS6004SGTA 数据手册

Diodes Zetex（捷特科）

MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号