￥ 0.579

ZXMS6004DT8TA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

FET驱动器

封装:

SOT-223-8

描述:

功率电子开关 ZXMS6004DT8TA SOT-223-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZXMS6004DT8TA 数据手册 (9 页)

原理图在2 页

ZXMS6004DT8TA 数据手册 (9 页)

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ZXMS6004DT8TA 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

SOT-223-8

输出接口数

2 Output

漏源极电阻

0.35 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

1.16 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

10 µs

输出电流(Max)

1.2 A

下降时间

15 µs

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2130 mW

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ZXMS6004DT8TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1.5 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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ZXMS6004DT8TA 符合标准

ZXMS6004DT8TA 海关信息

ZXMS6004DT8TA 概述

ZXMS6004DT8TA 数据手册

Diodes（美台）

9 页 / 0.23 MByte

ZXMS6004DT8TA 其他数据使用手册

Diodes（美台）

293 页 / 0.91 MByte

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功率电子开关 ZXMS6004DT8TA SOT-223-8

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Diodes Zetex（捷特科）

IntelliFET 自保护 MOSFET，Diodes IncIntelliFET 是自保护型 MOSFET，集成了完整保护电路，可防止 ESD（静电敏感设备）、过电流、过电压和过温条件。短路保护，具有自动重启过压保护（有源箝位）过电流保护输入保护 (ESD) 高连续电流额定值负载突卸保护逻辑电平输入 ### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

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