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FDPF16N50T 其他数据使用手册 - ON Semiconductor（安森美）
制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
描述:
UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDPF16N50T数据手册
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November 2013
FDPF16N50 / FDPF16N50T — N-Channel UniFET
TM
MOSFET
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF16N50 / FDPF16N50T Rev C2
www.fairchildsemi.com
1
FDPF16N50 / FDPF16N50T
N-Channel UniFET
TM
MOSFET
500 V, 16 A, 380 mΩ
Features
• R
DS(on)
= 380 mΩ (Max.) @ V
GS
= 10 V, I
D
= 8 A
•
Low Gate Charge (Typ. 32 nC)
•
Low Crss (Typ. 20 pF)
•
100% Avalanche Tested
Description
UniFET
TM
MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage
MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology.
This MOSFET is tailored to reduce on-state
resistance, and to
provide better switching performance and higher avalanche
energy strength. This device family is suitable for switching
power converter applications such as power factor correction
(PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic
lamp ballasts.
Absolute Maximum Ratings
Symbol Parameter
FDPF16N50
FDPF16N50T
Unit
V
DSS
Drain-Source Voltage 500 V
I
D
Drain Current - Continuous (T
C
= 25°C)
- Continuous (T
C
= 100°C)
16*
9.6*
A
A
I
DM
Drain Current - Pulsed
(Note 1)
64*
A
V
GSS
Gate-Source voltage ±30 V
E
AS
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
780 mJ
I
AR
Avalanche Current (Note 1) 16 A
E
AR
Repetitive Avalanche Energy (Note 1) 20 mJ
dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3) 4.5 V/ns
P
D
Power Dissipation (T
C
= 25°C)
- Derate above 25°C
38.5
0.3
W
W/°C
T
J,
T
STG
Operating and Storage Temperature Range -55 to +150 °C
T
L
Maximum Lead Temperature for Soldering,
1/8” from Case for 5 Seconds
300 °C
*
Drain current limited by maximum junction temperature.
Applications
• LCD/LED/PDP TV
• Lighting
• Uninterruptible Power Supply
Thermal Characteristics
Symbol Parameter
FDPF16N50
FDPF16N50T
Unit
R
θJC
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max. 3.3 °C/W
R
θJA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max. 62.5 °C/W
TO-220F
G
D
S
G
S
D
T
C
= 25°C unless otherwise noted.
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