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FF300R12KT4
482.645
FF300R12KT4数据手册
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Material group Materials
CAS-Nr.
if applicable
Average
mass [%]*
Sum [%] Traces Comment
inorganic material silicon 7440-21-3 0,1 0,1
non noble metal copper 7440-50-8 56,6 60,8
inorganic material aluminium oxid 1344-28-1 1,4
non noble metal tin 7440-31-5 2,7
noble metal silver 7440-22-4 0,1
non noble metal nickel 7440-02-0 0,1
non noble metal aluminium 7429-90-5 0,6 0,6
polymers silicone gel 11,4 11,4
polymers PBT 8,3 14,6
inorganic material antimonytrioxide 1309-64-4 0,9
plastics brominated resin 0,6
plastics chlorinated resin 0,4
inorganic material silicondioxide / glasfiber 4,4
non noble metal copper 7440-50-8 9,4 12,5
ferrous metal steel 3,0
non noble metal tin 7440-31-5 0,1
non noble metal zinc 7440-66-6 0,0 X
noble metal silver 7440-22-4 0,0 X
non noble metal nickel 7440-02-0 0,0 X
non noble metal aluminium 7429-90-5 0,0 X
<25% 100,00
337 g
<25%
Company
Address
Internet
Material Content Data Sheet
Umbrella Spec 62mm C- Serie
Date 2016-12-13 RoHS compliant Yes
Revision 3.1
Construction element
chip
Base plate and substrate
including metallisation
wire
encapsulation
housing
lead, finish and plating
deviation Sum in total
Infineon Technologies AG
81726 München
www.infineon.com
Weight range of product
family **
Fluctuation margin
*) related to component weight
**) Weight of particular product, see technical product information
Important Remarks:
1) This document provides full declaration of all materials present in Infineon products above a threshold of 0,1
% b.w. (1000 ppm).
2) Trace concentrations (i.e. < 0,1 % b.w) present in products are marked with an "X" as far as they represent
substances-of-concern.
A list of substances-of-concern can be found at http://www.infineon.com/soc.
3) All statements are based on our present knowledge and are subject to change at any time due to technical
requirements and development.

FF300R12KT4 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.44 MByte
Infineon(英飞凌)
36 页 / 3.45 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.01 MByte
Infineon(英飞凌)
40 页 / 6.73 MByte

FF300R12 数据手册

Infineon(英飞凌)
IGBT 模块,Infineon**Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  FF300R12KT4  晶体管, IGBT阵列&amp;模块, 双NPN, 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
IGBT 模块,Infineon**Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Infineon(英飞凌)
IGBT 模块,Infineon**Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  FF300R12KT4HOSA1  晶体管, IGBT阵列&amp;模块, 双NPN, 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
INFINEON  FF300R12KE4  晶体管, IGBT阵列&amp;模块, 双NPN, 460 A, 1.75 V, 1.6 kW, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
INFINEON  FF300R12KE4HOSA1  晶体管, IGBT阵列&amp;模块, 双NPN, 460 A, 1.75 V, 1.6 kW, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
快速沟/场终止IGBT3和EMCON高效二极管62毫米C系列模块 62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
Infineon(英飞凌)
EconoDUAL3模块快速IGBT2的高开关频率 EconoDUAL3 module with fast IGBT2 for high switching frequency
Infineon(英飞凌)
IGBT 模块,Infineon **Infineon 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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