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GT50J325
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  • 技术参数、封装参数在P1
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Sockets for TO 5
Ø 5,84
36°
2,9
Ø 9,5
Ø 0,5
4,2
7,4
Ø 1,53
Ø 1,4
Ø 0,5
7,4
4,2
2,3
1
Ø 1,3
3,7
R 1,5
4,25
art. no. no. of contacts
PF 510 ... 10
please indicate: ... surface
G=gold-plated
Z =tin-plated
contact spring: gold-plated
Sockets for power transistors TO 3
M 3
17,4
8,8
14,5
4
0,8
4
17
11,5
Ø 3,2
30,2
40
Ø 6,3
Ø 5,5
Ø 4,9
10,9
M 3
art. no. no. o f contacts
TF 3 2 3
insulator: PCT, glassfibre filled
contact: beryllium copper; 4 ... 6 µm Sn
Technical data:
current rating: 15 A max.
capacitance: 1 pF
contact resistance: <10 m
insulation resistance: >10
10
/cm
temperature range: -65 °C ... +290 °C
test voltage: 1650 V
Sockets for TO ... cases
F21
Single contacts metal strip
G26
Jumper links
F25
Jumper links
F25
Teflon sockets/TO 5 & TO 18
F22-23
Special DIL sockets
F13
DIL platform adapters & cases
F14-15
Connector-sleeves
F26-28
A
B
C
D
E
F
G
H
I
K
L
M
N

GT50J325 数据手册

Toshiba(东芝)
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GT50 数据手册

Toshiba(东芝)
TOSHIBA  GT50J325  单晶体管, IGBT, 50 A, 2.45 V, 240 W, 600 V, TO-3P, 3 引脚
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IGBT 分立,Toshiba IGBT 分立件和模块,Toshiba 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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IGBT 分立,Toshiba### IGBT 分立件和模块,Toshiba绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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IGBT 分立,Toshiba### IGBT 分立件和模块,Toshiba绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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