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MMBFJ201 其他数据使用手册 - ON Semiconductor（安森美）
制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
JFET晶体管
封装:
SOT-23-3
描述:
ON Semiconductor MMBFJ201 N通道 JFET 晶体管, Idss: 0.3 → 1.5mA, 3引脚 SOT-23封装
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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MMBFJ201数据手册
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MMBFJ201 / MMBFJ202 — N-Channel General-Purpose Amplifier
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com
MMBFJ201 / MMBFJ202 Rev. 1.4 2
Thermal Characteristics
(3)
Values are at T
A
= 25°C unless otherwise noted.
Note:
3. Device mounted on FR-4 PCB 36mm × 18mm × 1.5mm; mounting pad for the collector lead minimum 6cm
2
.
Electrical Characteristics
Values are at T
A
= 25°C unless otherwise noted.
Note:
4. Pulse test: pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2.0%
Symbol Parameter Max. Unit
P
D
Total Device Dissipation 350 mW
Derate Above 25°C2.8mW/°C
R
θJA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 357 °C/W
Symbol Parameter Conditions Min. Typ. Max. Unit
Off Characteristics
V
(BR)GSS
Gate-Source Breakdown Voltage I
G
= -1.0 μA, V
DS
= 0 -40 V
I
GSS
Gate Reverse Current V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 -100 pA
V
GS(off)
Gate-Source Cut-Off Voltage V
DS
= 20 V, I
D
= 10 nA
MMBFJ201 -0.3 -1.5
V
MMBFJ202 -0.8 -4.0
On Characteristics
I
DSS
Zero-Gate Voltage Drain
Current
(4)
V
DS
= 20 V, I
GS
= 0
MMBFJ201 0.2 1.0
mA
MMBFJ202 0.9 4.5
Small Signal Characteristics
y
FS
Forward Transfer Admittance V
DS
= 20 V, f = 1.0 kHz
MMBFJ201 500
μmhos
MMBFJ202 1000
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