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器件3D模型￥ 1.061
RFN2L6STE25 其他数据使用手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
制造商:
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:
TVS二极管
封装:
SOD-106-2
描述:
二极管 - 通用，功率，开关 Fast Recovery Diodes
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
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RFN2L6STE25数据手册
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Data Sheet
www.rohm.com
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Super Fast Recovery Diode
RFN2L6S
lSeries lDimensions (Unit : mm) lLand Size Figure (Unit : mm)
Standard Fast Recovery
lApplication
General rectification
lFeatures
1)
Low forward voltage
lStructure
2) Low switching loss
lConstruction lTaping Dimensions (Unit : mm)
Silicon epitaxial planar type
lAbsolute Maximum Ratings (T
l
= 25°C)
Repetitive peak reverse voltage
V
RM
V
Reverse voltage
V
R
V
Operating junction temperature
T
j
°C
Storage temperature
T
stg
°C
lElectrical Characteristics (T
j
= 25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
V
F
- 1.2 1.55 V
Reverse current
I
R
- 0.01 1
mA
Reverse recovery time trr - 16 35 ns
Thermal resistance
R
th
(j-l)
- - 23 °C/W
Unit
Direct voltage
600
Average current
I
o
1.5
A
T
l
=89ºC
On glass epoxy substrate,
60Hz half sin wave , Resistive load
Duty≦0.5
600
Parameter
Symbol
Conditions
Limits
Non-repetitive forward surge current
I
FSM
40
A
60Hz half sin wave, Non-repetitive at T
j
=25ºC
-
150
-
-55 to +150
Parameter
Conditions
Junction to Lead
I
F
=0.5A, I
R
=1A, Irr=0.25×I
R
Forward voltage
I
F
=1.5A
V
R
=600V
6
6
7
9
1
2
PMDS
Anode
Cathode
2
ROHM : PMDS
1
: Manufacture Date
JEDEC : SOD-106
2.0
4.2
2.0
4.0±0.1
2.9±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ 1.55±0.05
5.5±0.05
1.75±0.1
12±0.2
φ 1.55
9.5±0.1
0.3
5.3±0.1
0.05
2.8MAX
f
f
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