Datasheet 搜索 > TVS二极管 > ROHM Semiconductor（罗姆半导体） > RFN2L6STE25 数据手册 > RFN2L6STE25 其他数据使用手册 3/7 页
器件3D模型￥ 1.063
RFN2L6STE25 其他数据使用手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
制造商:
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:
TVS二极管
封装:
SOD-106-2
描述:
二极管 - 通用，功率，开关 Fast Recovery Diodes
Pictures:
3D模型
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RFN2L6STE25数据手册
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Data Sheet
RFN2L6S
lElectrical characteristic curves
0.1
1
10
100
1000
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
R
th
(j-a)
R
th
(j-l)
1
10
100
1000
1 10 100
T
j
= 25°C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0 30 60 90 120 150
D = 0.1
D = 0.2
half sin wave
D = 0.5
D.C.
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0 30 60 90 120 150
D.C.
D = 0.1
half sin wave
D = 0.5
D = 0.2
I
FSM
time
T
T
j
=150°C
D=t/T
t
V
R
Io
V
R
=V
Rmax
0A
0V
T
T
j
=150°C
D=t/T
t
V
R
Io
V
R
=V
Rmax
0A
0V
TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE : R
th
(°C/W)
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT : I
FSM
(A)
TIME : t(ms)
I
FSM
-t CHARACTERISTICS
TIME : t(s)
R
th
-t CHARACTERISTICS
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT : I
o
(A)
AMBIENT TEMPERATURE : T
a
(°C)
DERATING CURVE (I
o
-T
a
)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT : I
o
(A)
LEAD TEMPERATURE : T
l
(°C)
DERATING CURVE (I
o
-T
l
)
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2015.07 - Rev.A
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