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MMBTA13 数据手册

型号系列:

MMBTA13 系列

分类:

双极性晶体管

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA13 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 350 mW, 1.2 A, 10000 hFE

文档:

MMBTA13 数据手册 (21 页)

更新于: 2023/01/13 02:57:15 (UTC + 8)

MMBTA13 双极性晶体管数据手册

MMBTA13

数据手册 (21 页)

2.9

Fairchild（飞兆/仙童）

MMBTA13

数据手册 (21 页)

1.8

ON Semiconductor（安森美）

MMBTA13_D87Z

数据手册 (21 页)

0.3

Fairchild（飞兆/仙童）

MMBTA13LT1G

数据手册 (14 页)

3.6

ON Semiconductor（安森美）

MMBTA13 数据手册双极性晶体管

MMBTA13LT1

数据手册

8 页

ON Semiconductor（安森美）

达林顿放大器晶体管（ NPN硅） Darlington Amplifier Transistors(NPN Silicon)

MMBTA13LT3G

数据手册

6 页

ON Semiconductor（安森美）

NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管

MMBTA13LT1

数据手册

6 页

Motorola（摩托罗拉）

MMBTA13-7-F

数据手册

5 页

Diodes（美台）

达林顿晶体管 30V 300mW

MMBTA13-TP

数据手册

5 页

Micro Commercial Components（美微科）

达林顿晶体管 300mA 30V

MMBTA13

数据手册

5 页

Micro Commercial Components（美微科）

MMBTA13

数据手册

4 页

Infineon（英飞凌）

NPN硅达林顿晶体管 NPN Silicon Darlington Transistors

MMBTA13-7

数据手册

4 页

Diodes（美台）

达林顿晶体管 30V 300mW

MMBTA13

数据手册

3 页

Diodes（美台）

MMBTA13

数据手册

2 页

KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）

MMBTA13 NPN 500mA/0.5A 30V SOT-23/SC-59 markign/标记A1X 开关功率放大

MMBTA13

数据手册

2 页

UTC（友顺）

NPN外延硅晶体管

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MMBTA13 - Fairchild（飞兆/仙童）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

125 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

1.20 A

MMBTA13 - Fairchild（飞兆/仙童）概述

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-EmitterVoltage(VCEO)| 30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 1.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 125MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 10000 @ 5V,0.1A 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| 1.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| • This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1.0 A. 描述与应用| •为需要集电流增益可达到1A而设计

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