BFP640 数据手册

INFINEON  BFP 640ESD H6327  射频晶体管, NPN, 46GHZ, 4.7V, SOT-343

INFINEON  BFP 640 H6327  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE

NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor

NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor

SiGe 射频双极晶体管，Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管，Infineon

BFP640 NPN三极管 13V 50mA 40GHz 110~270 SOT-343 marking/标记 R4 高增益低噪声RF晶体管

晶体管 双极-射频, NPN, 4.1 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE

射频(RF)双极晶体管 RF BI

稳健的高性能低噪声双极RF晶体管 Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor

射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR