Infineon（英飞凌）
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BFP640 NPN三极管 13V 50mA 40GHz 110~270 SOT-343 marking/标记 R4 高增益低噪声RF晶体管
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP640ESDH6327XTSA1 射频晶体管, NPN, 46GHZ, 4.7V, SOT-343
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP640H6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE
Infineon（英飞凌）
晶体管 双极-射频, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE
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SiGe 射频双极晶体管，Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管，Infineon
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INFINEON BFP 640ESD H6327 射频晶体管, NPN, 46GHZ, 4.7V, SOT-343
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INFINEON BFP 640 H6327 晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE
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