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BFP640FESDH6327XTSA1
0.25
BFP640FESDH6327XTSA1 数据手册 (28 页)
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BFP640FESDH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SMD-4
针脚数
4 Position
极性
NPN
功耗
200 mW
输入电容
0.6 pF
击穿电压(集电极-发射极)
4.7 V
最小电流放大倍数
110 @30mA, 3V
额定功率(Max)
200 mW
直流电流增益(hFE)
110
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

BFP640FESDH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

BFP640FESDH6327XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
28 页 / 1.59 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.27 MByte
Infineon(英飞凌)
18 页 / 1.32 MByte

BFP640FESDH6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
射频(RF)双极晶体管 RF BI
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
晶体管 双极-射频, NPN, 4.1 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE
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