￥ 6.894

1N6461US 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

二极管

封装:

E-MELF

描述:

1N6461US 系列 9 V 500 W 表面贴装瞬态电压抑制器二极管 - MELF

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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1N6461US 数据手册 (6 页)

封装尺寸在2 页 6 页

1N6461US 数据手册 (6 页)

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1N6461US 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

2 Pin

封装

E-MELF

电路数

1 Circuit

正向电压

1.5 V

功耗

500 W

钳位电压

9 V

测试电流

25 mA

脉冲峰值功率

500 W

最小反向击穿电压

5.6 V

击穿电压

5.6 V

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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1N6461US 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bag

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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1N6461US 符合标准

1N6461US 海关信息

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Microsemi（美高森美）

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1N6461US 其他数据使用手册

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1N6461US 开发手册

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10 页 / 0.12 MByte

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