￥ 2.055

IDT04S60C 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-220

描述:

第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IDT04S60C 数据手册 (7 页)

封装尺寸在6 页

IDT04S60C 数据手册 (7 页)

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IDT04S60C 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

2 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

4.00 A

封装

TO-220

输出电流

≤4.00 A

正向电压

1.7 V

极性

Standard

正向电流

4 A

最大正向浪涌电流

32 A

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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IDT04S60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

9.9 mm

宽度

4.4 mm

高度

9.2 mm

工作温度

55℃ ~ 175℃

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IDT04S60C 符合标准

IDT04S60C 数据手册

Infineon（英飞凌）

7 页 / 0.25 MByte

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