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STB21N65M5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STB21N 系列 N 沟道 710 V 17 A 179 mOhm 125 W 功率 Mosfet - D2PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB21N65M5 数据手册 (22 页)

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STB21N65M5 数据手册 (22 页)

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STB21N65M5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

漏源极电阻

0.15 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

650 V

漏源击穿电压

650 V

连续漏极电流(Ids)

17A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

1950pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

125 W

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

125W (Tc)

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STB21N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

10.75 mm

宽度

10.4 mm

高度

4.6 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STB21N65M5 符合标准

STB21N65M5 海关信息

STB21N65M5 概述

STB21N65M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.4 MByte

STB21N65M5 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.39 MByte

STB21N65M5 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.75 MByte

STB21N65 数据手册

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STB21N 系列 N 沟道 710 V 17 A 179 mOhm 125 W 功率 Mosfet - D2PAK

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