￥ 0.633

CSD86350Q5D 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

LSON-CLIP-8

描述:

同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD86350Q5D 数据手册 (21 页)

封装尺寸在15 页 19 页 20 页

典型应用电路图在11 页

CSD86350Q5D 数据手册 (21 页)

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CSD86350Q5D 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

LSON-CLIP-8

通道数

2 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0018 Ω

极性

Dual N-Channel, N-Channel

功耗

13 W

阈值电压

1.4 V

漏源极电压(Vds)

25 V

输入电容值(Ciss)

1870pF @12.5V(Vds)

额定功率(Max)

13 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

13000 mW

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CSD86350Q5D 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.1 mm

宽度

5.1 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD86350Q5D 符合标准

CSD86350Q5D 概述

CSD86350Q5D 数据手册

TI（德州仪器）

21 页 / 1.42 MByte

CSD86350Q5D 产品设计参考手册

TI（德州仪器）

19 页 / 0.66 MByte

CSD86350Q5D 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

21 页 / 1.42 MByte

CSD86350Q5D 产品修订记录

TI（德州仪器）

8 页 / 0.41 MByte

CSD86350Q5 数据手册

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同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对

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