￥ 3.216

AFT09MS015NT1 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

晶体管

封装:

PLD-1

描述:

晶体管, 射频FET, 40 VDC, 125 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

AFT09MS015NT1 数据手册 (21 页)

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AFT09MS015NT1 技术参数、封装参数

类型

描述

频率

870 MHz

引脚数

3 Pin

封装

PLD-1

针脚数

2 Position

功耗

125 W

输出功率

16 W

增益

17.2 dB

测试电流

100 mA

输入电容值(Ciss)

74pF @12.5V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

额定电压

40 V

电源电压

12.5 V

AFT09MS015NT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

AFT09MS015NT1 符合标准

AFT09MS015NT1 海关信息

AFT09MS015NT1 数据手册

AFT09MS015NT1 产品设计参考手册

NXP（恩智浦）

21 页 / 0.86 MByte

AFT09MS015NT1 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

30 页 / 0.29 MByte

AFT09MS015NT1 开发手册

NXP（恩智浦）

28 页 / 1.38 MByte

AFT09MS015NT1 产品封装文件

NXP（恩智浦）

6 页 / 0.86 MByte

AFT09MS015 数据手册

AFT09MS015NT1 数据手册

NXP（恩智浦）

晶体管, 射频FET, 40 VDC, 125 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W

AFT09MS015NT1 数据手册

Freescale（飞思卡尔）

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 16W 12.5V

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AFT09MS015NT1 数据手册

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