FDN306P

￥ 1

FDN306P 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN306P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -12 V, 40 mohm, -4.5 V, -600 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDN306P 数据手册 (6 页)

FDN306P 数据手册 (6 页)

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FDN306P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-12.0 V

额定电流

-2.60 A

封装

SOT-23-3

额定功率

500 mW

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.03 Ω

极性

P-Channel

功耗

500 mW

输入电容

454 pF

栅电荷

12.0 nC

漏源极电压(Vds)

12 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

2.60 A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

1138pF @6V(Vds)

额定功率(Max)

460 mW

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

0.5 W

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FDN306P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.92 mm

宽度

1.4 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDN306P 符合标准

FDN306P 海关信息

FDN306P 概述

FDN306P 数据手册

FDN306P 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 0.14 MByte

FDN306P 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.09 MByte

FDN306P 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.04 MByte

FDN306P 产品描述及参数

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 0.07 MByte

FDN306P 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.14 MByte

FDN306P 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.15 MByte

FDN306 数据手册

FDN306P 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN306P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -12 V, 40 mohm, -4.5 V, -600 mV

FDN306P 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN306P, 2.6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装

FDN306P_F095 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

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