￥ 3.045

STGW30NC60WD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STGW30NC60WD 数据手册 (13 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STGW30NC60WD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

60.0 A

封装

TO-247-3

额定功率

200 W

针脚数

3 Position

极性

N-Channel

功耗

200 W

输入电容

2080 pF

上升时间

12.0 ns

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

热阻

50 ℃/W

反向恢复时间

40 ns

额定功率(Max)

200 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200 W

查看数据手册 >

STGW30NC60WD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

STGW30NC60WD 符合标准

STGW30NC60WD 海关信息

STGW30NC60WD 概述

STGW30NC60WD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.87 MByte

STGW30NC60WD 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.18 MByte

STGW30NC60WD 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STGW30NC60WD 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.13 MByte

STGW30NC60 数据手册

STGW30NC60WD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

STGW30NC60KD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STGW30NC60KD 系列 600 V 28 A 短路耐用型 IGBT 法兰安装 - TO-247-3

STGW30NC60VD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道40A - 600V - TO- 247的快速切换的PowerMESH TM IGBT N-channel 40A - 600V - TO-247 Very fast switching PowerMESH TM IGBT

STGW30NC60W 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30A - 600V - TO- 247超快速开关的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 30A - 600V - TO-247 Ultra FAST Switching PowerMESH IGBT

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号