Datasheet 搜索 > MOS管 > Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体） > AOTF22N50 数据手册 > AOTF22N50 数据手册 3/7 页
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AOTF22N50 数据手册 - Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
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AOTF22N50数据手册
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AOTF4126
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
17
5
2
10
0
18
0
20
40
60
3 4 5 6 7 8
I
D
(A)
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
15
18
21
24
27
30
0 5 10 15 20 25 30 35 40
R
DS(ON)
(m
Ω
)
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
0 25 50 75 100 125 150 175 200
Normalized On-Resistance
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
V
GS
=7V
I
D
=15A
V
GS
=10V
I
D
=20A
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=7V
V
GS
=10V
0
20
40
60
0 1 2 3 4 5
I
D
(A)
V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
V
GS
=6V
6.5V
8V
10V
7V
40
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
I
S
(A)
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
25°C
125°C
(Note E)
10
20
30
40
50
5 6 7 8 9 10
R
DS(ON)
(m
Ω
)
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
I
D
=20A
25°C
125°C
Rev 1 : May 2012 www.aosmd.com Page 3 of 7
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