Datasheet 搜索 > MOS管 > Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体） > AOTF22N50 数据手册 > AOTF22N50 数据手册 6/7 页
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AOTF22N50 数据手册 - Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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AOTF22N50数据手册
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AOTF4126
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
3
6
9
12
15
50
100
150
200
250
300
0 5 10 15 20 25 30
I
rm
(A)
Q
rr
(nC)
I
S
(A)
Figure 17: Diode Reverse Recovery Charge and Peak
Current vs. Conduction Current
di/dt=800A/µs
125ºC
125ºC
25ºC
25ºC
Q
rr
I
rm
-2
2
6
10
14
18
22
26
30
0
30
60
90
120
150
0 200 400 600 800 1000
I
rm
(A)
Q
rr
(nC)
di/dt (A/
µ
s)
Figure 19: Diode Reverse Recovery Charge and Peak
Current vs. di/dt
125ºC
125ºC
25ºC
25ºC
I
s
=20A
Q
rr
I
rm
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
4
8
12
16
20
24
0 5 10 15 20 25 30
S
t
rr
(ns)
I
S
(A)
Figure 18: Diode Reverse Recovery Time and
Softness Factor vs. Conduction Current
di/dt=800A/µs
125ºC
125ºC
25ºC
25ºC
t
rr
S
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
6
12
18
24
30
0 200 400 600 800 1000
S
t
rr
(ns)
di/dt (A/
µ
s)
Figure 20: Diode Reverse Recovery Time and
Softness Factor vs. di/dt
125ºC
25ºC
25ºC
125ºC
I
s
=20A
t
rr
S
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