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BC550CBU
0.036
BC550CBU 数据手册 (6 页)
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BC550CBU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
45.0 V
额定电流
100 mA
封装
TO-226-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
500 mW
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
420 @2mA, 5V
额定功率(Max)
500 mW
直流电流增益(hFE)
420
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

BC550CBU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
长度
4.58 mm
宽度
3.86 mm
高度
5.33 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BC550CBU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.18 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.3 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.02 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.04 MByte

BC550 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
NXP(恩智浦)
NPN通用晶体管 NPN general purpose transistors
ON Semiconductor(安森美)
Continental Device
Motorola(摩托罗拉)
Samsung(三星)
Micro Electronics
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
National Semiconductor(美国国家半导体)
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