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BFP640H6327XTSA1
0.137
BFP640H6327XTSA1 数据手册 (28 页)
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BFP640H6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
40000 MHz
引脚数
4 Pin
封装
SOT-343-4
针脚数
4 Position
极性
NPN
功耗
200 mW
击穿电压(集电极-发射极)
4.5 V
增益
12.5 dB
最小电流放大倍数
110 @30mA, 3V
额定功率(Max)
200 mW
直流电流增益(hFE)
110
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

BFP640H6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BFP640H6327XTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
28 页 / 1.33 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
29 页 / 1.1 MByte
Infineon(英飞凌)
32 页 / 1.19 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

BFP640H6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
SiGe 射频双极晶体管,Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管,Infineon
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP 640 H6327  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP640H6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE
Infineon(英飞凌)
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