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BFP640H6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-343-4

描述:

INFINEON BFP640H6327XTSA1 晶体管双极-射频, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BFP640H6327XTSA1 数据手册 (28 页)

引脚图在8 页Hot

封装尺寸在27 页

BFP640H6327XTSA1 数据手册 (28 页)

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BFP640H6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

40000 MHz

引脚数

4 Pin

封装

SOT-343-4

针脚数

4 Position

极性

NPN

功耗

200 mW

击穿电压(集电极-发射极)

4.5 V

增益

12.5 dB

最小电流放大倍数

110 @30mA, 3V

额定功率(Max)

200 mW

直流电流增益(hFE)

110

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

200 mW

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BFP640H6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.9 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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BFP640H6327XTSA1 符合标准

BFP640H6327XTSA1 海关信息

BFP640H6327XTSA1 概述

BFP640H6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 1.33 MByte

BFP640H6327XTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

BFP640H6327XTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

29 页 / 1.1 MByte

BFP640H6327XTSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

32 页 / 1.19 MByte

BFP640H6327XTSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

BFP640H6327 数据手册

Infineon（英飞凌）

SiGe 射频双极晶体管，Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管，Infineon

BFP 640 H6327 数据手册

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INFINEON BFP 640 H6327 晶体管双极-射频, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE

BFP640 H6327 数据手册

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BFP640H6327XTSA1 数据手册

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INFINEON BFP640H6327XTSA1 晶体管双极-射频, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE

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