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STP3N150
3.743
STP3N150 数据手册 (15 页)
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STP3N150 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
6 Ω
极性
N-Channel
功耗
140 W
阈值电压
4 V
输入电容
939 pF
漏源极电压(Vds)
1500 V
连续漏极电流(Ids)
2.50 A
上升时间
47 ns
输入电容值(Ciss)
939pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
140 W
下降时间
61 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
140W (Tc)

STP3N150 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.75 mm
工作温度
150℃ (TJ)

STP3N150 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.77 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.09 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
24 页 / 1 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
3 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.12 MByte

STP3 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP36NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP30NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 45 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP3NK90ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 900 V, 4.8 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP3NK60ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP3NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 4.5 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP34NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP3NK60Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP36NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP3N150  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1.5 kV, 6 ohm, 10 V, 4 V
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