FQP3P50 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP33N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 52 mohm, 10 V, 4 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP30N06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 60 V, 27 mohm, 10 V, 2.5 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP3P50  晶体管, MOSFET, P沟道, 2.7 A, -500 V, 4.9 ohm, -10 V, -5 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP30N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.031 ohm, 10 V, 4 V

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP30N06L, 32 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP3N80C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 800 V, 4 ohm, 10 V, 5 V

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装

600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET