￥ 0.127

BSC120N03MS G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TSDSON

描述:

INFINEON BSC120N03MS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BSC120N03MS G 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页 9 页

BSC120N03MS G 数据手册 (10 页)

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BSC120N03MS G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TSDSON

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

漏源极电阻

10 mΩ

极性

N-Channel

功耗

28 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

上升时间

4.4 ns

输入电容值(Ciss)

1100pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

28 W

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

28 W

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BSC120N03MS G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.9 mm

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSC120N03MS G 符合标准

BSC120N03MS G 概述

BSC120N03MS G 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.51 MByte

BSC120N03MS G 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSC120N03MS G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSC120N03MS G 开发手册

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37 页 / 2.01 MByte

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