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IDW20G65C5
0.844
IDW20G65C5 数据手册 (11 页)
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IDW20G65C5 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
正向电压
1.7V @20A
功耗
112 W
热阻
1.3℃/W (RθJC)
反向恢复时间
0 ns
正向电流
20 A
正向电压(Max)
1.7V @20A
正向电流(Max)
20 A
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
175 ℃

IDW20G65C5 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
16.13 mm
宽度
5.21 mm
高度
21.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IDW20G65C5 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 1.14 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.15 MByte

IDW20G65 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IDW20G65C5FKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247
Infineon(英飞凌)
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES
Infineon(英飞凌)
thinQ! 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术,用于碳化硅肖特基势垒二极管,可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势,如提高击穿电场强度和增强导热性,从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。降低的 EMI### 二极管和整流器,Infineon
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IDW20G65C5  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 20 A, 29 nC, TO-247
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES
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