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FDMS86252L
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FDMS86252L 数据手册 (9 页)
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FDMS86252L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
Power-56-8
通道数
1 Channel
漏源极电阻
46 mΩ
极性
N-CH
功耗
2.5 W
阈值电压
1.5 V
漏源极电压(Vds)
150 V
漏源击穿电压
150 V
连续漏极电流(Ids)
4.4A
上升时间
1.4 ns
输入电容值(Ciss)
1335pF @75V(Vds)
下降时间
2.9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 50W (Tc)

FDMS86252L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
5.85 mm
高度
1.05 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMS86252L 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.4 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.41 MByte

FDMS86252 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
FDMS86252 系列 150 V 51 mOhm N-沟道 屏蔽 栅极 PowerTrench Mosfet
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS86252  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 150 V, 0.0439 ohm, 10 V, 2.8 V
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86252L, 12 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
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