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￥ 2.136
BSO613SPV G 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
PG-DSO-8
描述:
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
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符号图
焊盘图
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功能描述在P1
电气规格在P2P3P4
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BSO613SPV G数据手册
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2011-05-31
Rev.1.4 Page 2
BSO613SPV G
Thermal Characteristics
Parameter Symbol Values Unit
min. typ. max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - soldering point
(Pin 4)
R
thJS
- - 25 K/W
SMD version, device on PCB:
@ min. footprint; t
£
10 sec.
@ 6 cm
2
cooling area
1)
; t
£
10 sec.
R
thJA
-
-
-
-
100
50
Electrical Characteristics, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Values Unit
min. typ. max.
Static Characteristics
Drain- source breakdown voltage
V
GS
= 0 V,
I
D
= -250 µA
V
(BR)DSS
-60 - - V
Gate threshold voltage,
V
GS
=
V
DS
I
D
= 1 mA
V
GS(th)
-2.1 -3 -4
Zero gate voltage drain current
V
DS
= -60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= -60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
I
DSS
-
-
-0.1
-10
-1
-100
µA
Gate-source leakage current
V
GS
= -20 V,
V
DS
= 0 V
I
GSS
- -10 -100 nA
Drain-source on-state resistance
V
GS
= -10 V,
I
D
= -3.44 A
R
DS(on)
- 0.11 0.13
W
1
Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm
2
(one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.
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