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￥ 2.136
BSO613SPV G 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
MOS管
封装:
PG-DSO-8
描述:
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
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功能描述在P1
电气规格在P2P3P4
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BSO613SPV G数据手册
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2011-05-31
Rev.1.4 Page 6
BSO613SPV G
Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 80 µs
0.0 -0.5 -1.0 -1.5 -2.0 -2.5 -3.0 -3.5 -4.0
V
-5.0
V
DS
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
-4.0
-5.0
-6.0
-7.0
A
-8.5
BSO613SPV
I
D
V
GS
[V]
a
a -3.0
b
b -3.5
c
c -3.7
d
d -4.0
e
e -4.2
f
f -4.5
g
g -4.7
h
h -5.0
i
i -5.5
j
P
tot
= 2.50W
j -10.0
Typ. drain-source-on-resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
0.0 -1.0 -2.0 -3.0 -4.0 -5.0
A
-7.0
I
D
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
0.28
0.32
0.36
W
0.42
BSO613SPV
R
DS(on)
b
V
GS
[V] =
b
-3.5
c
c
-3.7
d
d
-4.0
e
e
-4.2
f
f
-4.5
g
g
-4.7
h
h
-5.0
i
i
-5.5
j
j
-10.0
Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
)
V
DS
³
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 80 µs
0 -1 -2 -3 -4
V
GS
-6
V
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
A
-10
I
D
Typ. forward transconductance
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
parameter:
g
fs
0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8
A
-10
I
D
0
1
2
3
4
5
S
7
g
fs
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