Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > BSS123NH6433XTMA1 Datasheet 文档
BSS123NH6433XTMA1
0.05
BSS123NH6433XTMA1 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BSS123NH6433XTMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
2.4 Ω
极性
N-CH
功耗
0.5 W
阈值电压
1.4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
190mA
上升时间
3.2 ns
正向电压(Max)
1.1 V
输入电容值(Ciss)
15.7pF @25V(Vds)
下降时间
22 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
500mW (Ta)

BSS123NH6433XTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BSS123NH6433XTMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.61 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.55 MByte

BSS123NH6433 数据手册

Infineon(英飞凌)
60V,60mΩ,2.3A,N沟道小信号MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: BSS123 数据手册

热门型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z