Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > TI(德州仪器) > CSD19535KTTT Datasheet 文档
CSD19535KTTT
4.159
CSD19535KTTT 数据手册 (14 页)
查看文档
或点击图片查看大图

CSD19535KTTT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
0.0028 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 W
阈值电压
2.7 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
200A
上升时间
18 ns
输入电容值(Ciss)
7930pF @50V(Vds)
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

CSD19535KTTT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

CSD19535KTTT 数据手册

TI(德州仪器)
14 页 / 0.85 MByte
TI(德州仪器)
14 页 / 0.87 MByte

CSD19535 数据手册

TI(德州仪器)
100V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET,CSD19535KCS
TI(德州仪器)
CSD19535KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI(德州仪器)
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z