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IRFR6215TRLPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

单 P沟道 150 V 110 W 66 nC Hexfet 功率 Mosfet 表面贴装 - DPAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFR6215TRLPBF 数据手册 (11 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRFR6215TRLPBF 数据手册 (11 页)

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IRFR6215TRLPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.295 Ω

极性

P-Channel

功耗

110 W

漏源极电压(Vds)

150 V

连续漏极电流(Ids)

13A

上升时间

36 ns

输入电容值(Ciss)

860pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

37 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110W (Tc)

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IRFR6215TRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFR6215TRLPBF 符合标准

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IRFR6215TRLPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

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IRFR6215TRLPBF 开发手册

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IRFR6215TRLPBF 产品修订记录

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